188金宝搏足球 电子工程系硕士生陈考铭以第一作者在《IEEE Electron Device Letters》发表封面论文

发布单位:机构人员汇总[2021-03-30 00:00:00]打印此信息

近日,188金宝搏足球 电子工程系硕士生陈考铭在钙钛矿太阳电池集总参数电路建模领域取得研究进展,相关成果以“A Lumped-Parameter Equivalent Circuit Model for Perovskite Solar Cells’ S-Shaped I-V Kinks”为题,发表在电子器件研究领域的国际顶级学术期刊IEEE Electron Device Letters,并被选为期刊的封面论文。陈考铭为该文第一作者,电子工程系黄君凯教授与华侨大学于飞博士为该文共同通讯作者,188金宝搏亚洲登录 为第一通讯单位。

近年来,钙钛矿太阳电池功率转换效率的快速提升,使之成为光伏器件研究和产业化的热点之一,但其I-V特性曲线所呈现的异常S型扭曲(S-kinks)降低了器件的光电转换性能。该文构建的集总参数电路拓扑模型系统地描述了电池的内部结构及其接触界面的物理效应,并通过所提出的差分-微变算法实现了模型的解析计算,可准确地表征光伏器件I-V特性的S-kinks问题,为太阳电池的工艺优化提供了方向,同时也为这一电路拓扑模型嵌入钙钛矿太阳电池的TCAD仿真器提供了一种高效工具。

该工作得到了广东省自然科学基金等项目的支持。近年来,黄君凯和邓婉玲等教师组成的科研团队,在电子器件研究领域的两大国际权威期刊IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions on Electron Devices上发表了12篇新型微纳半导体器件模型及其物理机理研究的论文,这些成果为实现器件模型的仿真器嵌入并成为集成电路芯片EDA工具的PDK工艺库奠定了基础。

原文链接:https://ieeexplore.ieee.org/document/9328273?source=authoralert

(188金宝搏足球 电子工程系)

责编:苏倩怡